بهترین خدمات، بهترین تراشه
بزرگترین خرید یک مرحله ای قطعات در چین
| نام تجاری: | Infineon Technologies/International Rectifier IOR |
|---|---|
| شماره مدل: | IRF1404ZPBF |
| مقدار حداقل تعداد سفارش: | 1 قطعه |
| زمان تحویل: | 2 تا 8 روز کاری |
| شرایط پرداخت: | T/T |
| نام تجاری: | Infineon Technologies/International Rectifier IOR | گواهی: | / |
|---|---|---|---|
| مدل: | IRF1404ZPBF | MOQ: | 1 کامپیوتر |
| قیمت: | Negotiated | تحویل: | 2 تا 8 روز کاری |
| پرداخت: | T/T | ||
| برجسته: | ترانزیستور کانال N 200W,ترانزیستور کانال N 180A,IRF1404ZPBF |
||
توضیحات محصول
IRF1404ZPBF ترانزیستور N-Channel 180A 200W Through Hole TO-220AB HEXFET FETs MOSFET
N-Channel 180A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB مشخصات:
دسته بندی | محصولات نیمه هادی گسسته |
ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
Mfr | فن آوری های Infineon |
سلسله | HEXFET® |
بسته | لوله |
نوع FET | کانال N |
فن آوری | ماسفت (اکسید فلز) |
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 40 ولت |
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد | 180A (Tc) |
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 10 ولت |
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 3.7 میلی اهم @ 75 آمپر، 10 ولت |
Vgs(th) (Max) @ ID | 4 ولت @ 250 µA |
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 150 nC @ 10 V |
Vgs (حداکثر) | ± 20 ولت |
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 4340 pF @ 25 V |
ویژگی FET | - |
اتلاف نیرو (حداکثر) | 200 وات (Tc) |
دمای عملیاتی | -55 درجه سانتی گراد ~ 175 درجه سانتی گراد (TJ) |
نوع نصب | از طریق سوراخ |
بسته دستگاه تامین کننده | TO-220AB |
بسته / مورد | TO-220-3 |
شماره محصول پایه | IRF1404 |
شرح
این ماسفت قدرتمند HEXFET از جدیدترین تکنیک های پردازش برای دستیابی به مقاومت بسیار کم در هر ناحیه سیلیکونی استفاده می کند.
از ویژگی های اضافی این محصول می توان به دمای عملیاتی 175 درجه سانتی گراد، سرعت سوئیچینگ سریع و بهبود رتبه بهمن تکراری اشاره کرد.این ویژگی‌ها با هم ترکیب می‌شوند تا این طراحی را به دستگاهی بسیار کارآمد و قابل اعتماد برای استفاده در کاربردهای مختلف تبدیل کنند.
